首页 > 商品目录 > > > > DMN6017SK3-13代替型号比较

DMN6017SK3-13  与  IPD30N08S2L-21  区别

型号 DMN6017SK3-13 IPD30N08S2L-21
唯样编号 A3-DMN6017SK3-13 A-IPD30N08S2L-21
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ 20.5mΩ@25A,10V
上升时间 5.4ns -
漏源极电压Vds 60V 75V
Pd-功率耗散(Max) 50W 136W(Tc)
Qg-栅极电荷 55nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 38.2ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-252-3,Dpak,SC-63 PG-TO252-3-11
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~175°C(TJ)
连续漏极电流Id 43A 30A(Tc)
通道数量 1Channel -
配置 Single -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 11ns -
典型接通延迟时间 4.9ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA 2V @ 80µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2711pF @ 15V 1650pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 55nC @ 10V 72nC @ 10V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6017SK3-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

TO-252-3,Dpak,SC-63

暂无价格 0 当前型号
IPD30N08S2L21ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L-21_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2L-21 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2L21ATMA1_PG-TO252-3-11

暂无价格 0 对比
IPD30N08S2-22 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S222ATMA1_6.5mm

暂无价格 0 对比
IPD30N08S222ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPD30N08S2-22_TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

暂无价格 0 对比
IRFR2607Z Infineon  数据手册 功率MOSFET

DPAK

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售