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DMP2004DWK-7  与  BSD223PH6327XTSA1  区别

型号 DMP2004DWK-7 BSD223PH6327XTSA1
唯样编号 A3-DMP2004DWK-7 A-BSD223PH6327XTSA1
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 功率MOSFET
描述 Dual P-Channel 20 V 900 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-363 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 900mΩ@430mA,4.5V -
漏源极电压Vds 20V -
功率-最大值 - 250mW
Pd-功率耗散(Max) 250mW -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 56pF @ 15V
FET类型 P-Channel 2 个 P 沟道(双)
封装/外壳 SOT-363 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
工作温度 -65°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 0.43A -
不同Id时Vgs(th)(最大值) - 1.2V @ 1.5uA
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.62nC @ 4.5V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 175pF @ 16V -
FET功能 - 逻辑电平门
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 390mA
漏源电压(Vdss) - 20V
库存与单价
库存 36,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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