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DMP3160L-7  与  FDN358P  区别

型号 DMP3160L-7 FDN358P
唯样编号 A3-DMP3160L-7 A3-FDN358P
制造商 Diodes Incorporated ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P Channel 30 V 190 mO 1.08 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23 Single P-Channel 30V 125 mOhm Logic Level PowerTrench Mosfet SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 1.3mm -
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 122mΩ 125 毫欧 @ 1.5A,10V
上升时间 7.3ns -
Qg-栅极电荷 8.2nC -
栅极电压Vgs 1.3V ±20V
正向跨导 - 最小值 5.9S -
封装/外壳 SOT-23 SuperSOT
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 2.7A 1.5A
配置 Single -
长度 2.9mm -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 13.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 182pF @ 15V
高度 1mm -
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 1.08W 500mW(Ta)
典型关闭延迟时间 22.5ns -
FET类型 - P-Channel
系列 DMP31 PowerTrench®
通道数量 1Channel -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.1V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 227pF @ 10V 182pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
典型接通延迟时间 4.8ns -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.6nC @ 10V
库存与单价
库存 24,200 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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