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DMT6016LSS-13  与  IRF7469TRPBF  区别

型号 DMT6016LSS-13 IRF7469TRPBF
唯样编号 A3-DMT6016LSS-13 A-IRF7469TRPBF
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8 Single N-Channel 40 V 2.5 W 15 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 18mΩ 17mΩ@9A,10V
上升时间 5.2ns -
漏源极电压Vds 60V 40V
Pd-功率耗散(Max) 2.1W 2.5W(Ta)
Qg-栅极电荷 17nC -
栅极电压Vgs 1V ±20V
典型关闭延迟时间 13ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SO 8-SO
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 9.2A 9A
系列 DMT60 HEXFET®
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA 3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 864pF @ 30V 2000pF @ 20V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 17nC @ 10V 23nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V 4.5V,10V
下降时间 7ns -
典型接通延迟时间 3.4ns -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 3V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 2000pF @ 20V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 23nC @ 4.5V
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6016LSS-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SO

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