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DMTH4004SPSQ-13  与  DMTH4004SPS-13  区别

型号 DMTH4004SPSQ-13 DMTH4004SPS-13
唯样编号 A3-DMTH4004SPSQ-13 A-DMTH4004SPS-13
制造商 Diodes Incorporated Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET MOSFET
描述 MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 3.6W(Ta), 167W(Tc) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.7 毫欧 @ 90A,10V -
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) - 3.6W(Ta),167W(Tc)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 2.7mΩ@90A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 4305 pF @ 25 V
栅极电压Vgs ±20V ±20V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 68.6 nC @ 10 V
封装/外壳 8-PowerTDFN PowerDI5060-8
连续漏极电流Id 31A(Ta),100A(Tc) 31A(Ta),100A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ) -55℃~175℃(TJ)
驱动电压 - 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4305pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 68.6nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH4004SPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

8-PowerTDFN

暂无价格 0 当前型号
BSC027N04LS G Infineon 功率MOSFET

BSC027N04LSGATMA1_5.9mm

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DMTH4004SPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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