DMTH6004SPSQ-13 与 BSC028N06NS 区别
| 型号 | DMTH6004SPSQ-13 | BSC028N06NS | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-DMTH6004SPSQ-13 | A-BSC028N06NS | ||||
| 制造商 | Diodes Incorporated | Infineon Technologies | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 系列:OptiMOS™ | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| 宽度 | - | 5.15mm | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 2.8mΩ | ||||
| 上升时间 | - | 38ns | ||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 83W | ||||
| Qg-栅极电荷 | - | 37nC | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 10V | ||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 50S | ||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 19ns | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| 封装/外壳 | PowerDI5060-8 | - | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 100A | ||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C | ||||
| 通道数量 | - | 1Channel | ||||
| 配置 | - | SingleQuadDrainTripleSource | ||||
| 系列 | - | OptiMOS™ | ||||
| 长度 | - | 5.9mm | ||||
| 下降时间 | - | 8ns | ||||
| 典型接通延迟时间 | - | 11ns | ||||
| 高度 | - | 1.27mm | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 0 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 | ||||
| 单价（含税） |
|
暂无价格 | ||||
| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
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|
DMTH6004SPSQ-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
PowerDI5060-8 车规 |
￥4.0892
|
0 | 当前型号 | ||||||
|
BSC028N06NS | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
60V 100A 2.8mΩ 10V 83W N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
|
BSC028N06NST | Infineon | 功率MOSFET |
PG-TDSON-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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