FDC6333C 与 DMG6602SVT-7 区别
| 型号 | FDC6333C | DMG6602SVT-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDC6333C | A-DMG6602SVT-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | Dual N / P-Channel 30 V 95 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-6 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 95m Ohms@2.5A,10V | 60mΩ@3.1A,10V |
| 正向跨导-最小值 | - | 4 S |
| 上升时间 | - | 5 ns |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 700mW | 840mW |
| Qg-栅极电荷 | - | 9 nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 13 ns |
| FET类型 | N+P-Channel | N+P-Channel |
| 封装/外壳 | SuperSOT | TSOT-23 |
| 连续漏极电流Id | 2.5A/2A | 3.4A,2.8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | PowerTrench® | DMG |
| 通道数量 | - | 2 Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 282pF @ 15V | 400pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6.6nC @ 10V | 13nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 3 ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC6333C | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
2.5A,2A 95m Ohms@2.5A,10V 700mW -55°C~150°C(TJ) SuperSOT™-6 SuperSOT N+P-Channel 30V 2.5A/2A |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG6602SVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
20V 60mΩ@3.1A,10V 840mW -55°C~150°C(TJ) TSOT-23 N+P-Channel 30V 3.4A,2.8A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMG6601LVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) TSOT-26 3.8A,2.5A 1.3W 55mΩ,110mΩ 30V 500mV,400mV N-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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