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FDC637AN  与  DMN2026UVT-13  区别

型号 FDC637AN DMN2026UVT-13
唯样编号 A3-FDC637AN A-DMN2026UVT-13
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET MOSFET
描述 N-Channel 20V 0.024 Ohm 2.5V Specified PowerTrench Mosfet MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 1.6W(Ta) -
Rds On(Max)@Id,Vgs 24 毫欧 @ 6.2A,4.5V -
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 1.6W(Ta) 1.15W(Ta)
RdsOn(Max)@Id,Vgs - 24mΩ@6.2A,4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 887 pF @ 10 V
栅极电压Vgs ±8V ±10V
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) - 18.4 nC @ 8 V
封装/外壳 SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 TSOT-23-6
连续漏极电流Id 6.2A 6.2A(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55℃~150℃(TJ)
系列 PowerTrench® -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
驱动电压 - 2.5V,4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1125pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.5V,4.5V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1125pF @ 10V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDC637AN ON Semiconductor 通用MOSFET

SOT-23-6,TSOT-23-6 SuperSOT SOT-23-6细型,TSOT-23-6

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AO6404 AOS  数据手册 功率MOSFET

TSOP-6

¥1.5385 

阶梯数 价格
1: ¥1.5385
100: ¥1.2245
1,000: ¥0.8824
1,500: ¥0.7595
3,000: ¥0.6
3,000 对比
DMN2026UVT-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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