FDC638APZ 与 DMP2035UVT-7 区别
| 型号 | FDC638APZ | DMP2035UVT-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDC638APZ | A-DMP2035UVT-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | P-Channel 20 V 43 mOhm 2.5V PowerTrench® Specified Mosfet - SSOT-6 | P-Channel 20 V 35 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TSOT26-6 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 35mΩ@4A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.2W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | - | ±12V |
| FET类型 | - | P-Channel |
| 封装/外壳 | SuperSOT-6 | TSOT-26 |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 6A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2400pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 23.1nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 1.8V,4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDC638APZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SuperSOT-6 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||
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DMP2035UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.2W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 20V 6A |
￥0.6006
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920 | 对比 | ||||||
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AO6409 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TSOP-6 P-Channel -20V 8V -5.5A 2.1W 41mΩ@4.5V |
￥1.969
|
128 | 对比 | ||||||
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DMP2035UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.2W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 20V 6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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DMP2035UVT-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.2W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V -55°C~150°C(TJ) TSOT-26 P-Channel 20V 6A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||
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RTQ035P02TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
150°C(TJ) P 通道 TSMT6(SC-95) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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