FDN337N 与 IRLML6346TRPBF 区别
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规格信息
型号	FDN337N	IRLML6346TRPBF
唯样编号	A3-FDN337N-2	A-IRLML6346TRPBF
制造商	ON Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	通用MOSFET	功率MOSFET
描述	N-Channel 30 V 65 mOhm Surface Mount Field Effect Transistor - SSOT-3	N-Channel 30 V 80 mOhm 2.9 nC 1.3 W Silicon SMT Mosfet - SOT-23
数据表		IRLML6346TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
功率	500mW(Ta)	-
Rds On(Max)@Id,Vgs	65 毫欧 @ 2.2A,4.5V	63mΩ@3.4A,4.5V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)	1.3W(Ta)
栅极电压Vgs	±8V	±12V
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	-	4.5V
FET类型	N-Channel	N-Channel
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	Micro3™/SOT-23
工作温度	-55°C~150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id	2.2A(Ta)	3.4A
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	-	24V
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA	1.1V @ 10µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	300pF @ 10V	270pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	9nC @ 4.5V	2.9nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA	1.1V @ 10µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	300pF @ 10V	270pF
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	9nC @ 4.5V	2.9nC
库存与单价
库存	0	0
工厂交货期	56 - 70天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	操作
FDN337N	ON Semiconductor		通用MOSFET	±8V 500mW(Ta) 65m Ohms@2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT N-Channel 30V 2.2A 2.2A(Ta) 65 毫欧 @ 2.2A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SuperSOT-3 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3	暂无价格	当前型号
AO3402	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C	暂无价格	对比
DMN3200U-7	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta)	暂无价格	对比
AO3402	AOS	数据手册	功率MOSFET	SOT-23-3 N-Channel 30V ±12V 4A 1.4W 52mΩ@4A,10V -55°C~150°C	暂无价格	对比
DMN3200U-7	Diodes Incorporated	数据手册	通用MOSFET	N-Channel 650mW(Ta) ±8V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.2A(Ta)	暂无价格	对比
IRLML6346TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±12V 1.3W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 63mΩ@3.4A,4.5V N-Channel 30V 3.4A Micro3™/SOT-23	暂无价格	对比