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FDN360P  与  DMP3130LQ-7  区别

型号 FDN360P DMP3130LQ-7
唯样编号 A3-FDN360P-2 A36-DMP3130LQ-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 Single P-Channel 30 V 80 mOhm PowerTrench Mosfet - SSOT-3 P-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 150mΩ
上升时间 - 6.5ns
漏源极电压Vds - 30V
产品特性 - 车规
Pd-功率耗散(Max) - 1.3W
Qg-栅极电荷 - 12nC
栅极电压Vgs - 1.3V
典型关闭延迟时间 - 27.8ns
正向跨导 - 最小值 - 8S
封装/外壳 SOT-23 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 3.5A
系列 - 汽车级,AEC-Q101
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.3V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 864pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 24nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,10V
下降时间 - 15ns
典型接通延迟时间 - 4.6ns
库存与单价
库存 3,000 3,038
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
50+ :  ¥1.111
200+ :  ¥0.8514
1,500+ :  ¥0.7403
3,000+ :  ¥0.6886
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
FDN360P ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SOT-23

暂无价格 3,000 当前型号
AO3421E AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -30V 20V -3A 1.4W 95mΩ@10V

¥0.6369 

阶梯数 价格
80: ¥0.6369
200: ¥0.5187
1,500: ¥0.4719
3,000: ¥0.4407
14,028 对比
SI3407-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.2445 

阶梯数 价格
210: ¥0.2445
1,500: ¥0.2115
3,000: ¥0.1875
9,183 对比
ZXMP3F30FHTA Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

P-Channel 950mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.8A(Ta)

¥1.2436 

阶梯数 价格
50: ¥1.2436
100: ¥0.9631
750: ¥0.7985
1,500: ¥0.7265
3,000: ¥0.6742
6,006 对比
DMG2307L-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

±20V 90mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 30V 3.8A

¥0.5356 

阶梯数 价格
100: ¥0.5356
200: ¥0.3458
1,500: ¥0.3016
3,000: ¥0.2665
3,214 对比
DMP3130LQ-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

-55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3.5A 1.3W 150mΩ 30V 1.3V 车规

¥1.111 

阶梯数 价格
50: ¥1.111
200: ¥0.8514
1,500: ¥0.7403
3,000: ¥0.6886
3,038 对比

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