FDN537N 与 DMN3033LSN-7 区别
| 型号 | FDN537N | DMN3033LSN-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-FDN537N | A-DMN3033LSN-7 |
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A SUPERSOT3 | MOSFET |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率 | 1.5W(Ta) | - |
| 宽度 | - | 1.6 mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 23 毫欧 @ 6.5A,10V | 30mΩ@6A,10V |
| 上升时间 | - | 7 ns |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 | SC-59 |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 6.5A(Ta),6.5A(Tc) | 6A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 3 mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 465pF @ 15V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | - |
| 高度 | - | 1.1 mm |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.4W(Ta) |
| 典型关闭延迟时间 | - | 63 ns |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 系列 | - | DMN |
| 通道数量 | - | 1 Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 755pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 10.5nC @ 5V |
| 典型接通延迟时间 | - | 11 ns |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8.4nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 3,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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FDN537N | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
±20V 23 毫欧 @ 6.5A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 N-Channel 30V 6.5A(Ta),6.5A(Tc) SOT-23-3 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 |
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DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 30mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMN3033LSN-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 1.4W(Ta) 30mΩ@6A,10V -55°C~150°C(TJ) SC-59 N-Channel 30V 6A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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