FDS4935BZ 与 DMP3028LSD-13 区别
| 型号 | FDS4935BZ | DMP3028LSD-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-FDS4935BZ | A36-DMP3028LSD-13 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | Dual P-Channel 30 V 1.6 W 40 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8 | |||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 22m Ohms@6.9A,10V | 25mΩ | ||||||||
| 上升时间 | - | 17.1ns | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 900mW | 1.7W | ||||||||
| Qg-栅极电荷 | - | 22nC | ||||||||
| 栅极电压Vgs | - | 1V | ||||||||
| 典型关闭延迟时间 | - | 60.5ns | ||||||||
| 正向跨导 - 最小值 | - | 11S | ||||||||
| FET类型 | P-Channel | - | ||||||||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | SO | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 6.9A | 6A | ||||||||
| 系列 | PowerTrench® | DMP3028 | ||||||||
| 通道数量 | - | 2Channel | ||||||||
| 配置 | - | Dual | ||||||||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1360pF @ 15V | 1241pF @ 15V | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 40nC @ 10V | 10.9nC @ 10V | ||||||||
| 下降时间 | - | 40.4ns | ||||||||
| 典型接通延迟时间 | - | 9.7ns | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 22,500 | 2,673 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
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FDS4935BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
22m Ohms@6.9A,10V 900mW -55°C~150°C(TJ) SOIC P-Channel 30V 6.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 22,500 | 当前型号 |
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IRF7328TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 21mΩ@8A,10V 2W P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IRF7328PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
21mΩ@8A,10V 2W -55°C~150°C(TJ) P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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DMP3028LSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SO 6A 1.7W 25mΩ 30V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |