IRF630 与 IRF630NPBF 区别
| 型号 | IRF630 | IRF630NPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-IRF630 | A-IRF630NPBF |
| 制造商 | STMicroelectronics | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | - | 4.4mm |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 300mΩ |
| 上升时间 | - | 14ns |
| Qg-栅极电荷 | - | 23.3nC |
| 栅极电压Vgs | - | 20V |
| 正向跨导 - 最小值 | - | 4.9S |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220AB |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 9.3A |
| 配置 | - | Single |
| 长度 | - | 10mm |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 下降时间 | - | 15ns |
| 高度 | - | 15.65mm |
| 漏源极电压Vds | - | 200V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 82W |
| 典型关闭延迟时间 | - | 27ns |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 系列 | - | HEXFET® |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 575pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 35nC @ 10V |
| 典型接通延迟时间 | - | 7.9ns |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 62,650 | 1,000 |
| 工厂交货期 | 5 - 7天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF630 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220-3 |
暂无价格 | 62,650 | 当前型号 |
|
IRF630NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~175°C(TJ) TO-220AB 200V 9.3A 300mΩ 20V 82W N-Channel |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
|
|
IRF530NPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220AB N-Channel 70W 90mΩ@ 9A,10V -55°C~175°C ±20V 100V 17A |
暂无价格 | 1,000 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
