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IRF9335TRPBF  与  AO4771L  区别

型号 IRF9335TRPBF AO4771L
唯样编号 A3-IRF9335TRPBF A-AO4771L
制造商 Infineon Technologies AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 59mΩ@5.4A,10V 68 mΩ @ 4A,10V
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2W(Ta)
栅极电压Vgs ±20V ±20V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V -
FET类型 P-Channel P-Channel
封装/外壳 8-SO 8-SOIC
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 5.4A 4A(Ta)
系列 HEXFET® -
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 25V -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 10µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 386pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
栅极电荷Qg - 7nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.4V @ 10µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 386pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 14nC @ 10V -
库存与单价
库存 4,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF9335TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

8-SO

暂无价格 4,000 当前型号
AO4771L AOS  数据手册 功率MOSFET

8-SOIC

暂无价格 0 对比

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