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IRLML2402TRPBF  与  DMN2300U-7  区别

型号 IRLML2402TRPBF DMN2300U-7
唯样编号 A3-IRLML2402TRPBF A3-DMN2300U-7
制造商 Infineon Technologies Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 Single N-Channel 20 V 540 W 2.6 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - MICRO-3 N-Channel 20 V 80 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 250mΩ@930mA,4.5V 175mΩ
上升时间 - 2.8ns
漏源极电压Vds 20V 20V
Pd-功率耗散(Max) 540mW(Ta) 0.55W
Qg-栅极电荷 - 1.6nC
栅极电压Vgs ±12V 450mV
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 Micro3™/SOT-23 SOT-23
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 1.2A 1.4A
系列 HEXFET® DMN22
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA 950mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V 64.3pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V 1.6nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 2.7V,4.5V 1.8V,4.5V
下降时间 - 13ns
典型接通延迟时间 - 3.5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 700mV @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 110pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 3.9nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 75,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRLML2402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 当前型号
DMN2300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

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