MGSF1N03LT1G 与 DMN3110S-7 区别
| 型号 | MGSF1N03LT1G | DMN3110S-7 | ||
|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-MGSF1N03LT1G-1 | A36-DMN3110S-7 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET | ||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 1.6A（Ta） 420mW（Ta） SOT-23-3（TO-236） | MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT-23 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23-3 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 2.5A(Ta) | ||
| 驱动电压 | - | 4.5V,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 30V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 740mW(Ta) | ||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 73mΩ@3.1mA,10V | ||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 305.8 pF @ 15 V | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 8.6 nC @ 10 V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 3,000 | 123 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
|
||
| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MGSF1N03LT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-23 |
暂无价格 | 3,000 | 当前型号 | ||||||
|
ZXMN3A01FTA | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±20V 625mW(Ta) 120mΩ@2.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 30V 2A |
￥1.518
|
210 | 对比 | ||||||
|
AO3424 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 30V ±12V 3.8A 1.4W 55mΩ@3.8A,10V -55°C~150°C |
￥0.8448
|
205 | 对比 | ||||||
|
QS5U17TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 900mW 100mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C TSOT-23-5 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 200 | 对比 | ||||||
|
DMN3110S-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
N-Channel 740mW(Ta) ±20V SOT-23-3 -55°C~150°C(TJ) 30V 2.5A(Ta) |
￥0.6655
|
123 | 对比 | ||||||
|
|
QS5U17TR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 小信号MOSFET |
±12V 900mW 100mΩ@2A,4.5V -55°C~150°C TSOT-23-5 N-Channel 30V 2A(Ta) |
暂无价格 | 100 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
