NCV8402ADDR2G 与 AO4882 区别
| 型号 | NCV8402ADDR2G | AO4882 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NCV8402ADDR2G | A36-AO4882 | ||||
| 制造商 | ON Semiconductor | AOS | ||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||
| 分类 | 功率开关 | 功率MOSFET | ||||
| 描述 | 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 2A 8-SOIC | |||||
| 数据表 | ||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||
| 规格信息 | ||||||
| Crss(pF) | - | 11 | ||||
| Td(off)(ns) | - | 15 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 19mΩ@10V | ||||
| ESD Diode | - | No | ||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||
| Rds On(Max)@4.5V | - | 27mΩ | ||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W | ||||
| Qrr(nC) | - | 3.5 | ||||
| VGS(th) | - | 2.4 | ||||
| Qgd(nC) | - | 1.1 | ||||
| 栅极电压Vgs | - | 20V | ||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||
| Td(on)(ns) | - | 4 | ||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-8 | ||||
| 连续漏极电流Id | - | 8A | ||||
| Ciss(pF) | - | 415 | ||||
| Schottky Diode | - | No | ||||
| Trr(ns) | - | 12.5 | ||||
| Coss(pF) | - | 112 | ||||
| Qg*(nC) | - | 3 | ||||
| 库存与单价 | ||||||
| 库存 | 0 | 424 | ||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NCV8402ADDR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率开关 |
SOIC-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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VNS1NV04DPTR-E | STMicro | 数据手册 | 限流/配电开关 |
SO-8 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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DMN4027SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
27mΩ@7A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 40V 7.1A |
￥2.59
|
4,285 | 对比 | ||||||||||
|
DMN4034SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
34mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 40V 6.3A |
￥3.1664
|
2,459 | 对比 | ||||||||||
|
AO4882 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 40V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.727
|
424 | 对比 | ||||||||||
|
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VNS1NV04DPTR-E | STMicro | 数据手册 | 限流/配电开关 |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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