NCV8402ADDR2G 与 DMN4027SSD-13 区别
| 型号 | NCV8402ADDR2G | DMN4027SSD-13 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-NCV8402ADDR2G | A36-DMN4027SSD-13 | ||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率开关 | 功率MOSFET | ||||||||
| 描述 | 电源开关/驱动器 1：1 N 通道 2A 8-SOIC | Dual N-Channel 40 V 0.047 Ohm 6.3 nC 2.14 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO | ||||||||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 7.1A | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 27mΩ@7A,10V | ||||||||
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA | ||||||||
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 604pF @ 20V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 40V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 1.8W | ||||||||
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 12.9nC @ 10V | ||||||||
| FET类型 | - | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 0 | 4,285 | ||||||||
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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NCV8402ADDR2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率开关 |
SOIC-8 |
暂无价格 | 0 | 当前型号 | ||||||||||
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VNS1NV04DPTR-E | STMicro | 数据手册 | 限流/配电开关 |
SO-8 |
暂无价格 | 7,500 | 对比 | ||||||||||
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DMN4027SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
27mΩ@7A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 40V 7.1A |
￥2.59
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4,285 | 对比 | ||||||||||
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DMN4034SSD-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
34mΩ@6A,10V 1.8W -55°C~150°C(TJ) SO N-Channel 40V 6.3A |
￥3.1664
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2,459 | 对比 | ||||||||||
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AO4882 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 40V 20V 8A 2W 19mΩ@10V |
￥1.727
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424 | 对比 | ||||||||||
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VNS1NV04DPTR-E | STMicro | 数据手册 | 限流/配电开关 |
SO-8 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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