NTF3055L108T1G 与 DMN6068SE-13 区别
| 型号 | NTF3055L108T1G | DMN6068SE-13 | ||
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| 唯样编号 | A3-NTF3055L108T1G | A36-DMN6068SE-13 | ||
| 制造商 | ON Semiconductor | Diodes Incorporated | ||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||
| 分类 | MOSFET | 功率MOSFET | ||
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 60 V 3A(Ta) 1.3W(Ta) SOT-223(TO-261) | N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3 | ||
| 数据表 | ||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||
| 规格信息 | ||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 68mΩ@12A,10V | ||
| 漏源极电压Vds | - | 60V | ||
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W(Ta) | ||
| 栅极电压Vgs | - | ±20V | ||
| FET类型 | - | N-Channel | ||
| 封装/外壳 | SOT-223-4 | SOT-223 | ||
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) | ||
| 连续漏极电流Id | - | 5.6A | ||
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - | 3V @ 250µA | ||
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | - | 502pF @ 30V | ||
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | - | 10.3nC @ 10V | ||
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | - | 4.5V,10V | ||
| 库存与单价 | ||||
| 库存 | 1,000 | 83 | ||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||
| 单价(含税) | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NTF3055L108T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | MOSFET |
SOT-223-4 |
暂无价格 | 1,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
¥1.452
|
10,090 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 4,000 | 对比 | ||||||||||||
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IRLL014NTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | ||||||||||||
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DMN6068SE-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A |
¥1.144
|
83 | 对比 | ||||||||||||
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STN3NF06L | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
暂无价格 | 0 | 对比 |