| 图片 | 商品 | 数据手册 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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数据手册 |
±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A |
￥1.496
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10,605 | 当前型号 | |||||||||||||
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数据手册 |
TO-261-4,TO-261AA |
￥4.587
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4,597 | 对比 | |||||||||||||
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4A(Ta) ±20V 3W(Ta) 100m Ohms@4A,10V -65°C~150°C(TJ) TO-261-4,TO-261AA 4A N-Channel 60V 100 毫欧 @ 4A,10V -65°C~150°C(TJ) 4 A 180 m0hms -20 V、+20 V SOT-223 增强 6.7*3.7*1.7mm 250 pF @ 30 V |
￥1.716
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2,783 | 对比 | ||||||||||||||
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数据手册 |
±16V 1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 140mΩ@2A,10V N-Channel 55V 2.8A SOT-223 |
暂无价格 | 2,500 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
N-Channel 2W(Ta) ±20V SOT-223-3 -55°C~150°C(TJ) 60V 3.8A(Ta) |
￥2.332
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2,000 | 对比 | |||||||||||||
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数据手册 |
±20V 2W(Ta) 40mΩ@8.2A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 7.5A |
￥4.18
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1,000 | 对比 |
参数有误？
| 参数 | 参数值 | 操作 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率MOSFET | |
| 系列 | STripFET™ II | |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 5V,10V | |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.8V @ 250µA | |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 9nC @ 5V | |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 340pF @ 25V | |
| 栅极电压Vgs | ±16V | |
| Pd-功率耗散(Max) | 3.3W(Tc) | |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@1.5A,10V | |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | SOT-223 | |
| FET类型 | N-Channel | |
| 漏源极电压Vds | 60V | |
| 连续漏极电流Id | 4A |
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LQP03TN LQP03TG RF电感 薄膜电感
| 制造商编号 | 最近销量(PCS) |
|---|---|
| IRLML6402TRPBF | 300,000 |
| NCE0102 | 210,000 |
| IRFR024NTRPBF | 110,000 |
| IRF640NPBF | 100,000 |
| SI1012CR-T1-GE3 | 75,000 |
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