瞻芯电子推出第三代（Gen-3）1200V 21毫欧车规SiC MOSFET——IV3Q12021T4Z，并提供TO247-4与TO247-4Slim两种封装选择。新品面向车载充电机、电动压缩机、充电桩、光伏逆变器及开关电源等高效高可靠应用，已通过AEC-Q101车规认证，工作结温范围覆盖-55℃~175℃。该产品具备1200V耐压、21mΩ导通电阻和102A电流能力，典型阈值电压2.7V（25℃），175℃下为2.0V，总栅极电荷标称130nC。器件采用开尔文源极引脚设计，有利于高频开关下降低源极电感影响，简化驱动电路设计，并提升系统安全性与效率。

产品特性：

• 采用Gen-3 SiC MOSFET技术，支持+15V~+18V栅极驱动，具有较低开关损耗，兼顾效率与EMI表现，适应更高开关频率和更高dv/dt场景。

• 高压低导通电阻。器件耐压1200V，25°C下导通电阻典型值21mΩ，175°C下典型值34.8mΩ，高温导通损耗控制较好。

• 高速低电容。输入电容典型3450pF，输出电容典型146pF，反向传输电容典型8pF

• 开关损耗较低。25°C下，开通损耗典型750.4uJ，关断损耗典型183.2uJ

• 支持175°C结温。器件可在-55°C至175°C范围工作，高温稳定性好，适合高负载和严苛车载环境。

• 开尔文源极与封装优化。TO247-4封装带开尔文源极引脚，便于高频开关；TO247-4Slim的栅极与开尔文源极引脚间距更大，可降低焊接短路风险。

• 车规可靠性。产品通过AEC-Q101认证，并采用加严的汽车级可靠性测试与设计，适合汽车及高可靠功率变换场景。

产品应用：

IV3Q12021T4Z系列适用于对高压、高效率和高可靠性要求较高的场景，主要包括：车载充电机与主动悬架、电动压缩机、电动汽车充电桩、光伏MPPT与逆变器、开关电源等。凭借低导通电阻、低电容和开尔文源极设计，该器件可帮助系统提升功率密度、降低导通与开关损耗，并改善高频开关下的驱动可靠性。