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NTJD5121NT1G  与  DMN65D8LDW-7  区别

型号 NTJD5121NT1G DMN65D8LDW-7
唯样编号 A3-NTJD5121NT1G A36-DMN65D8LDW-7
制造商 ON Semiconductor Diodes Incorporated
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET - 阵列 60V 295mA 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363 MOSFET
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
正向跨导-最小值 - 80 mS, 80 mS
Rds On(Max)@Id,Vgs - 6Ω@115mA,10V
上升时间 - 3.2 ns, 3.2 ns
漏源极电压Vds - 60V
Pd-功率耗散(Max) - 300mW
Qg-栅极电荷 - 870 pC, 870 pC
栅极电压Vgs - 1V,1V
典型关闭延迟时间 - 12 ns, 12 ns
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-363-6 SOT-363
工作温度 - -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id - 0.2A
系列 - DMN
通道数量 - 2 Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 22pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 0.87nC @ 10V
下降时间 - 6.3 ns, 6.3 ns
典型接通延迟时间 - 3.3 ns, 3.3 ns
库存与单价
库存 3,000 6,000
工厂交货期 3 - 15天 3 - 15天
单价(含税) 暂无价格
150+ :  ¥0.3536
200+ :  ¥0.2625
1,500+ :  ¥0.2295
3,000+ :  ¥0.201
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTJD5121NT1G ON Semiconductor  数据手册 MOSFET

SC-88/SC70-6/SOT-363 SOT-363-6

暂无价格 3,000 当前型号
2N7002BKS,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT363 N-Channel 0.445W 150°C 1.6V 60V 0.3A 车规

¥0.8063 

阶梯数 价格
70: ¥0.8063
200: ¥0.5566
38,462 对比
DMN65D8LDW-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

1V,1V 6Ω@115mA,10V 300mW -55°C~150°C(TJ) SOT-363 N-Channel 60V 0.2A

¥0.3536 

阶梯数 价格
150: ¥0.3536
200: ¥0.2625
1,500: ¥0.2295
3,000: ¥0.201
6,000 对比
2N7002BKS,115 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT363 N-Channel 0.445W 150°C 1.6V 60V 0.3A 车规

暂无价格 3,000 对比
FDG6301N ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

2N-Channel 220mA 4 Ohms@220mA,4.5V 300mW -55°C~150°C(TJ) SC-70-6 SC-70 N-Channel 25V 0.22A SC-88(SC-70-6)

暂无价格 2,330 对比
2N7002DW-7-F Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

-55°C~150°C(TJ) SOT-363 230mA 0.4W 7.5Ω 70V 1V 2N-Channel

¥0.5239 

阶梯数 价格
100: ¥0.5239
200: ¥0.338
1,500: ¥0.2938
2,001 对比

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