NTMD4N03R2G 与 IRF7311PBF 区别
| 型号 | NTMD4N03R2G | IRF7311PBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-NTMD4N03R2G | A-IRF7311PBF |
| 制造商 | ON Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 通用MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC | Dual N-Channel 20 V 2 W 18 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | 8-SOIC | 8-SO |
| 工作温度 | - | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | - | 6.6A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 29mΩ@6A,4.5V |
| 漏源极电压Vds | - | 20V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 2W |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 900pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 27nC @ 4.5V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 37,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NTMD4N03R2G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
暂无价格 | 37,500 | 当前型号 |
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AO4842 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SO-8 N-Channel 30V 20V 7.7A 2W 21mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IRF7311PBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
29mΩ@6A,4.5V 2W -55°C~150°C(TJ) N-Channel 20V 6.6A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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