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NTR1P02LT1G  与  FDN308P  区别

型号 NTR1P02LT1G FDN308P
唯样编号 A3-NTR1P02LT1G A3-FDN308P
制造商 ON Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 通用MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3 P-Channel 20 V 125 mOhm 2.5 V Specified PowerTrench Mosfet - SSOT-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率 - 500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs - 125 毫欧 @ 1.5A,4.5V
漏源极电压Vds - 20V
Pd-功率耗散(Max) - 500mW(Ta)
栅极电压Vgs - ±12V
FET类型 - P-Channel
封装/外壳 SOT-23-3(TO-236) SuperSOT
连续漏极电流Id - 1.5A
工作温度 - -55°C ~ 150°C(TJ)
系列 - PowerTrench®
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 341pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.4nC @ 4.5V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) - 2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) - 1.5V @ 250µA
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) - 341pF @ 10V
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 5.4nC @ 4.5V
库存与单价
库存 6,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR1P02LT1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 6,000 当前型号
DMP2225L-7 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 21,500 对比
PMV160UP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

PMV160UP_SOT23

¥0.9607 

阶梯数 价格
10: ¥0.9607
100: ¥0.7116
1,000: ¥0.5516
1,500: ¥0.4521
3,000: ¥0.4001
880 对比
IRLML6402TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 470 对比
SI2301A-TP MCC 功率MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 对比
FDN308P ON Semiconductor 通用MOSFET

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SuperSOT

暂无价格 0 对比

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