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NTR4101PT1G  与  RSR025P03TL  区别

型号 NTR4101PT1G RSR025P03TL
唯样编号 A3-NTR4101PT1G-3 A32-RSR025P03TL-1
制造商 ON Semiconductor ROHM Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W Surface Mount Trench Power MOSFET - SOT-23 MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) - 1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs 85m Ohms@1.6A,4.5V -
技术 - MOSFET(金属氧化物)
漏源极电压Vds 20V -
Pd-功率耗散(Max) 420mW(Ta) -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) - 460pF @ 10V
栅极电压Vgs ±8V -
FET类型 P-Channel P 通道
封装/外壳 SOT-23 TSMT3
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150°C(TJ)
连续漏极电流Id 3.2A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 675pF @ 10V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 8.5nC @ 4.5V -
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) - 98 毫欧 @ 2.5A,10V
Vgs(最大值) - ±20V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.8V,4.5V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) - 4V,10V
25°C时电流-连续漏极(Id) - 2.5A(Ta)
漏源电压(Vdss) - 30V
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) - 5.4nC @ 5V
库存与单价
库存 0 4,400
工厂交货期 56 - 70天 7 - 14天
单价(含税) 暂无价格
100+ :  ¥2.9706
500+ :  ¥2.8364
1,000+ :  ¥2.7014
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
NTR4101PT1G ON Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

±8V 420mW(Ta) 85m Ohms@1.6A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 P-Channel 20V 3.2A

暂无价格 0 当前型号
PMV65XP,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23 P-Channel 0.48W -55°C~150°C ±12V -20V -2.8A

¥0.6952 

阶梯数 价格
80: ¥0.6952
200: ¥0.5655
1,500: ¥0.5148
3,000: ¥0.481
29,141 对比
NTR1P02T1G ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

SOT-23-3(TO-236)

暂无价格 27,000 对比
AO3419 AOS  数据手册 功率MOSFET

SOT23-3 P-Channel -20V 12V -3.5A 1.4W 85mΩ@3.5A,10V -55°C~150°C

¥0.594 

阶梯数 价格
90: ¥0.594
200: ¥0.4524
1,500: ¥0.3939
3,000: ¥0.3484
13,810 对比
SI2305B-TP MCC  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

¥0.3679 

阶梯数 价格
140: ¥0.3679
200: ¥0.273
1,500: ¥0.237
3,000: ¥0.21
9,312 对比
RSR025P03TL ROHM Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

150°C(TJ) P 通道 TSMT3

¥2.9706 

阶梯数 价格
100: ¥2.9706
500: ¥2.8364
1,000: ¥2.7014
4,400 对比

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