NVR1P02T1G 与 SSM3J325F,LF 区别
| 型号 | NVR1P02T1G | SSM3J325F,LF | ||||||||||
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| 唯样编号 | A3-NVR1P02T1G | A36-SSM3J325F,LF | ||||||||||
| 制造商 | ON Semiconductor | Toshiba | ||||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||||
| 分类 | 通用MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||||
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1A SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI | ||||||||||
| 数据表 | ||||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||||
| 规格信息 | ||||||||||||
| 功率耗散Pd | - | 600mW(Ta) | ||||||||||
| 技术 | - | MOSFET(金属氧化物) | ||||||||||
| 产品特性 | 车规 | - | ||||||||||
| 漏源极电压Vds | - | 20 V | ||||||||||
| 产品状态 | - | 在售 | ||||||||||
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | - | 150 毫欧 @ 1A,4.5V | ||||||||||
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | - | 270 pF @ 10 V | ||||||||||
| FET类型 | - | P-Channel | ||||||||||
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | - | 4.6 nC @ 4.5 V | ||||||||||
| 封装/外壳 | SOT-23-3(TO-236) | S-Mini | ||||||||||
| 工作温度 | - | 150°C(TJ) | ||||||||||
| 连续漏极电流Id | - | 2A(Ta) | ||||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±8V | ||||||||||
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | - | 1.5V,4.5V | ||||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||||
| 库存 | 9,000 | 3,000 | ||||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||
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NVR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) 车规 |
暂无价格 | 9,000 | 当前型号 | ||||||||||||
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BSH205G2VL | Nexperia | 数据手册 | 小信号MOSFET |
SOT23 P-Channel 170mΩ@4.5V,230mΩ@2.5V 0.48W 150°C 8V,-0.7V -20V -2.3A 车规 |
￥0.5138
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50,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
暂无价格 | 27,000 | 对比 | ||||||||||||
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SSM3J325F,LF | Toshiba | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 600mW(Ta) S-Mini 150°C(TJ) 20 V 2A(Ta) |
￥1.944
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3,000 | 对比 | ||||||||||||
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NTR1P02T1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
SOT-23-3(TO-236) |
￥0.942
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924 | 对比 | ||||||||||||
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BSS215PH6327XTSA1 | Infineon | 数据手册 | 通用MOSFET |
P 通道 -55°C~150°C(TJ) 车规 SOT-23 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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