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R6009ENX  与  IPAN80R450P7  区别

型号 R6009ENX IPAN80R450P7
唯样编号 A3-R6009ENX A-IPAN80R450P7
制造商 ROHM Semiconductor Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V 450mΩ
漏源极电压Vds 600V 800V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
Rth - 4.4K/W
栅极电压Vgs ±20V 2.5V,3.5V
RthJA max - 80.0K/W
FET类型 N-Channel N-Channel
Qgd - 9.0nC
Pin Count - 3.0Pins
封装/外壳 TO-220-3 TO-220 FullPAK
Mounting - THT
连续漏极电流Id 9A(Tc) 11A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C
Ptot max - 29.0W
QG - 24.0nC
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
Budgetary Price €€/1k - 1.0
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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