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R6009ENX  与  STF11N60DM2  区别

型号 R6009ENX STF11N60DM2
唯样编号 A3-R6009ENX A3-STF11N60DM2
制造商 ROHM Semiconductor STMicroelectronics
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V -
漏源极电压Vds 600V -
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 TO-220-3 TO-220FP-3
连续漏极电流Id 9A(Tc) -
工作温度 150°C(TJ) -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 430pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 6,000
工厂交货期 3 - 15天 5 - 7天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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