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R6009KNX  与  AOTF12N60  区别

型号 R6009KNX AOTF12N60
唯样编号 A3-R6009KNX A-AOTF12N60
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Crss(pF) - 13
Rds On(Max)@Id,Vgs 535mΩ@2.8A,10V 550mΩ@10V
ESD Diode - No
Qgd(nC) - 17.9
栅极电压Vgs ±20V 30V
Td(on)(ns) - 39
封装/外壳 TO-220-3 TO-220F
连续漏极电流Id 9A(Tc) 12A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -
Ciss(pF) - 1751
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 540pF @ 25V -
Schottky Diode - No
Trr(ns) - 311
Td(off)(ns) - 122
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 48W(Tc) 50W
Qrr(nC) - 5200
VGS(th) - 4.5
FET类型 - N-Channel
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 16.5nC @ 10V -
Coss(pF) - 164
Qg*(nC) - 40*
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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