R6009RND3TL1 与 IPD60R600PFD7S 区别
| 型号 | R6009RND3TL1 | IPD60R600PFD7S |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6009RND3TL1 | A-IPD60R600PFD7S |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 600V 9A TO-252, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-252 | TO-252-3 |
| 工作温度 | - | -40°C~150°C |
| 连续漏极电流Id | - | 6A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 600mΩ@1.7A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 31W |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 2,500 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 5天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6009RND3TL1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-252 |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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IPD60R600PFD7S | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
600mΩ@1.7A,10V ±20V TO-252-3 -40°C~150°C 6A 600V 31W N-Channel |
暂无价格 | 2,500 | 对比 |
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FCD620N60ZF | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
7.3A(Tc) ±20V 89W(Tc) 620m Ohms@3.6A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-252-3,Dpak,SC-63 DPAK N-Channel 600V 7.3A TO-252AA |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STD8N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STD8N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
DPAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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