R6018VNXC7G 与 IPAN60R210PFD7S 区别
| 型号 | R6018VNXC7G | IPAN60R210PFD7S |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6018VNXC7G | A-IPAN60R210PFD7S |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | 600V 10A TO-220FM, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4.5V @ 240uA 漏源导通电阻：210mΩ @ 4.9A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W (Tc) 类型：N沟道 |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 封装/外壳 | TO-220FM | - |
| 连续漏极电流Id | 10A | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.17Ω@15V | - |
| 漏源极电压Vds | 600V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 61W | - |
| 栅极电压Vgs | ±30V | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 18 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FM N-Channel ±30V 600V 10A 0.17Ω@15V 61W |
暂无价格 | 18 | 当前型号 |
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IPAN60R210PFD7S | Infineon | 功率MOSFET | 暂无价格 | 0 | 对比 | ||
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STF26N60DM6 | STMicro | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220FP |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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IPA60R210CFD7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
7A TO-220 FullPAK -55°C~150°C N-Channel 600V 210mΩ 3.5V,4.5V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STF24N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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STF24N60DM2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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