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R6020ENJTL  与  AOB20S60L  区别

型号 R6020ENJTL AOB20S60L
唯样编号 A3-R6020ENJTL A-AOB20S60L
制造商 ROHM Semiconductor AOS
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 196mΩ@9.5A,10V 199mΩ@10A,10V
漏源极电压Vds 600V 600V
Pd-功率耗散(Max) 40W(Tc) 266W
栅极电压Vgs ±20V ±30V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak,TO-263AB TO263
连续漏极电流Id 20A(Tc) 20A
工作温度 150°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
系列 - AOB
不同Id时的Vgs(th)(最大值) - 4.1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) - 1038pF @ 100V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) - 19.8nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF @ 25V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
R6020ENJTL ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

TO-263-3,D²Pak,TO-263AB

暂无价格 100 当前型号
IPB60R190C6 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6ATMA1_10mm

¥2.024 

阶梯数 价格
1: ¥2.024
2: ¥1.862
4: ¥1.7129
4 对比
AOB20S60L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO263

暂无价格 0 对比
IPB60R190C6ATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB60R190C6_TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB

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TO-263-3

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STB28NM60ND STMicro  数据手册 通用MOSFET

D2PAK

暂无价格 0 对比

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