R6076ENZ4C13 与 R6076ENZ1C9 区别
| 型号 | R6076ENZ4C13 | R6076ENZ1C9 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R6076ENZ4C13 | A3-R6076ENZ1C9 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 76A TO247 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散(最大值) | 735W(Tc) | - |
| 技术 | MOSFET(金属氧化物) | - |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | - | 42mΩ@44.4A,10V |
| 漏源极电压Vds | - | 600V |
| Pd-功率耗散(Max) | - | 120W(Tc) |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 6500pF @ 25V | - |
| 栅极电压Vgs | - | ±20V |
| FET类型 | N 通道 | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-247 | TO-247 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | 150°C(TJ) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA | - |
| 连续漏极电流Id | - | 76A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 6500pF @ 25V |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 42 毫欧 @ 44.4A,10V | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 260nC @ 10V |
| Vgs(最大值) | ±20V | - |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 76A(Tc) | - |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | - |
| 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值) | 260nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 689 | 90 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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R6076ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
150°C(TJ) N 通道 TO-247 |
暂无价格 | 689 | 当前型号 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥179.0578
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450 | 对比 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
暂无价格 | 90 | 对比 | ||||||||
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R6076ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 120W(Tc) 42mΩ@44.4A,10V 150°C(TJ) TO-247 N-Channel 600V 76A |
￥54.2364
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45 | 对比 |
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