| 型号 | R8008ANX | AOTF10N65 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-R8008ANX | A-AOTF10N65 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 10 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.03Ω@4A,10V | 1000mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Qgd(nC) | - | 11.3 |
| 栅极电压Vgs | ±30V | 30V |
| Td(on)(ns) | - | 30 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 | TO-220F |
| 连续漏极电流Id | 8A(Ta) | 10A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 1369 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1080pF @ 25V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 320 |
| Td(off)(ns) | - | 74 |
| 漏源极电压Vds | 800V | 650V |
| Pd-功率耗散(Max) | 50W(Tc) | 50W |
| Qrr(nC) | - | 6000 |
| VGS(th) | - | 5 |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 39nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 118 |
| Qg*(nC) | - | 27.7* |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 600 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
R8008ANX | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 8A(Ta) ±30V 50W(Tc) 1.03Ω@4A,10V 150°C(TJ) TO-220-3 |
暂无价格 | 600 | 当前型号 |
|
STF7NM60N | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 73,000 | 对比 |
|
AOTF10N65 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-220F N-Channel 650V 30V 10A 50W 1000mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
STF8N80K5 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
STFU9N65M2 | STMicro | 数据手册 | 通用MOSFET |
TO-220FP-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
IPA80R1K2P7 | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 800V 4.5A(Tc) ±20V 25W(Tc) 1.2Ω@1.7A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TO220-3 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
