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RF4E070GNTR  与  PMPB15ENE  区别

型号 RF4E070GNTR PMPB15ENE
唯样编号 A3-RF4E070GNTR A-PMPB15ENE
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 30V, 7A, 21.4 MOHM, PQFN 2X2
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 21.4mΩ@7A,10V -
漏源极电压Vds 30V -
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) -
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel -
封装/外壳 HUML -
工作温度 150°C(TJ) -
连续漏极电流Id 7A -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 220pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 4.8nC @ 10V -
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
库存与单价
库存 100 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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