RF4E075ATTCR 与 IRFHS8342TRPBF 区别
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规格信息
型号	RF4E075ATTCR	IRFHS8342TRPBF
唯样编号	A3-RF4E075ATTCR	A-IRFHS8342TRPBF
制造商	ROHM Semiconductor	Infineon Technologies
供应商	唯样自营	唯样自营
分类	功率MOSFET	功率MOSFET
描述		Single N-Channel 30 V 16 mO 4.2 nC SMT HexFet Power MosFet - PQFN 2 x 2 mm
数据表	rf4e075attcr-e.pdf	IRFHS8342TRPBF.pdf
RoHs	无铅/符合RoHs	无铅/符合RoHs
Rds On(Max)@Id,Vgs	21.7mΩ@7.5A,10V	16mΩ@8.5A,10V
漏源极电压Vds	30V	30V
Pd-功率耗散(Max)	2W(Ta)	2.1W(Ta)
栅极电压Vgs	±20V	±20V
FET类型	P-Channel	N-Channel
封装/外壳	8-PowerUDFN	8-PQFN(2x2)
连续漏极电流Id	7.5A(Ta)	8.8A
工作温度	150°C(TJ)	-55°C~150°C(TJ)
系列	-	HEXFET®
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	-	2.35V @ 25µA
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	-	600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）	-	8.7nC @ 10V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 1mA	2.35V @ 25µA
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1000pF @ 15V	600pF @ 25V
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	22nC @ 10V	8.7nC @ 10V
库存与单价
库存	100	0
工厂交货期	3 - 15天	56 - 70天
单价（含税）	暂无价格	暂无价格
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推荐型号

原厂型号	制造商	数据手册	分类	关键参数	单价	库存	操作
RF4E075ATTCR	ROHM Semiconductor	数据手册	功率MOSFET	P-Channel 30V 7.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 21.7mΩ@7.5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN	暂无价格	100	当前型号
PMEG4010CEAX	Nexperia	数据手册	SBD肖特基二极管	SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规	暂无价格	3,001	对比
IRFHS8342TRPBF	Infineon	数据手册	功率MOSFET	±20V 2.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@8.5A,10V N-Channel 30V 8.8A 8-PQFN(2x2)	暂无价格	0	对比
PMPB48EPAX	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT1220 P-Channel 1.7W 150°C -1.5V -30V -4.7A 车规	暂无价格	3,000	对比
PMPB27EP,115	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT1220 P-Channel 1.7W -55°C~150°C 20V,-1.5V -30V -8.8A	暂无价格	3,000	对比
PMPB27EPAX	Nexperia	数据手册	功率MOSFET	SOT1220 P-Channel 1.7W 150°C -1.5V -30V -6.1A 车规	暂无价格	0	对比