RF4E075ATTCR 与 PMPB27EP,115 区别
| 型号 | RF4E075ATTCR | PMPB27EP,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RF4E075ATTCR | A36-PMPB27EP,115 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.1A DFN2020MD-6 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 21.7mΩ@7.5A,10V | - |
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W(Ta) | 1.7W |
| 输出电容 | - | 120pF |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V,-1.5V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | 8-PowerUDFN | SOT1220 |
| 连续漏极电流Id | 7.5A(Ta) | -8.8A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C |
| 输入电容 | - | 1070pF |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | - |
| Rds On(max)@Id,Vgs | - | 29mΩ@-6.1A,-10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1000pF @ 15V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22nC @ 10V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 2,292 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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|
RF4E075ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 7.5A(Ta) ±20V 2W(Ta) 21.7mΩ@7.5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerUDFN |
暂无价格 | 100 | 当前型号 |
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PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 3,001 | 对比 |
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IRFHS8342TRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.1W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 16mΩ@8.5A,10V N-Channel 30V 8.8A 8-PQFN(2x2) |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PMPB48EPAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 1.7W 150°C -1.5V -30V -4.7A 车规 |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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PMPB27EP,115 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 1.7W -55°C~150°C 20V,-1.5V -30V -8.8A |
暂无价格 | 3,000 | 对比 |
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|
PMPB27EPAX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 P-Channel 1.7W 150°C -1.5V -30V -6.1A 车规 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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