RF4E080GNTR 与 74LVCH2T45GT,115 区别
| 型号 | RF4E080GNTR | 74LVCH2T45GT,115 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RF4E080GNTR | A-74LVCH2T45GT,115 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Nexperia |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 变换器/转换器 |
| 描述 | IC TRNSLTR BIDIRECTIONAL 8XSON | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.6mΩ | - |
| 工作热阻 | - | 144,307 |
| 上升时间 | 3.6ns | - |
| 电源电压 | - | 1.2 - 5.5V,1.2 - 5.5V |
| 漏源极电压Vds | 30V | - |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W | - |
| Qg-栅极电荷 | 5.8nC | - |
| 传播延迟时间 | - | 2.5ns |
| 栅极电压Vgs | 2.5V | - |
| 典型关闭延迟时间 | 17.3ns | - |
| 正向跨导 - 最小值 | 5S | - |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | DFN2020-8 | SOT833 |
| 连续漏极电流Id | 8A | - |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -40°C~125°C |
| 系列 | RF4E080GN | - |
| 通道数量 | 1Channel | - |
| 配置 | Single | - |
| 输出电流 | - | ± 24mA |
| 通道数 | - | 2 |
| 下降时间 | 2.4ns | - |
| 典型接通延迟时间 | 6.9ns | - |
| 逻辑切换水平 | - | CMOS/LVTTL |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 200 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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|
RF4E080GNTR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
8A 2W 17.6mΩ 30V 2.5V DFN2020-8 N-Channel -55°C~150°C |
暂无价格 | 200 | 当前型号 |
|
PMEG4010CEAX | Nexperia | 数据手册 | SBD肖特基二极管 |
SOD-323 8A 40V 40V 1A 0.84V 8uA -55°C~150°C 车规 |
暂无价格 | 3,001 | 对比 |
|
74LVCH2T45GT,115 | Nexperia | 数据手册 | 变换器/转换器 |
SOT833 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
BUK6D72-30EX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 15W 175°C 1.5V,20V 30V 11A 车规 |
暂无价格 | 80 | 对比 |
|
|
PMPB100ENEX | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT1220 N-Channel 2W 175°C 20V,1.5V 30V 5.1A |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
PMPB15ENE | Nexperia | 数据手册 | 通用MOSFET |
DFN2020MD‑6 |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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