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RF4E100AJTCR  与  PMPB10XNE,115  区别

型号 RF4E100AJTCR PMPB10XNE,115
唯样编号 A3-RF4E100AJTCR A-PMPB10XNE,115
制造商 ROHM Semiconductor Nexperia
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 12.4mΩ@10A,4.5V -
漏源极电压Vds 30V 20V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Tc) 1.7W
输出电容 - 235pF
栅极电压Vgs ±12V 0.65V,12V
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 8-PowerUDFN DFN-MD
连续漏极电流Id 10A(Ta) 12.9A
工作温度 -55°C~150°C(TJ) 150℃
输入电容 - 2175pF
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V -
Rds On(max)@Id,Vgs - 18mΩ@2.5V,14mΩ@4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 1mA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1460pF @ 15V -
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 13nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 100 270
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格
10+ :  ¥2.1846
100+ :  ¥1.6182
1,000+ :  ¥1.2544
1,500+ :  ¥1.0282
3,000+ :  ¥0.9263
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100: ¥1.6182
1,000: ¥1.2544
1,500: ¥1.0282
3,000: ¥0.9263
270 对比

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