RQ3L050GNTB 与 DMN6069SFG-7 区别
| 型号 | RQ3L050GNTB | DMN6069SFG-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ3L050GNTB | A3-DMN6069SFG-7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 小信号MOSFET |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 5.6A POWERDI333 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 61mΩ@5A,10V | 63mΩ |
| 上升时间 | - | 5ns |
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V |
| Pd-功率耗散(Max) | 14.8W(Tc) | 930mW |
| Qg-栅极电荷 | - | 14nC |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 1V |
| 典型关闭延迟时间 | - | 12ns |
| FET类型 | N-Channel | - |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 8-PowerWDFN |
| 连续漏极电流Id | 12A(Tc) | 18A |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | - | DMN6069 |
| 通道数量 | - | 1Channel |
| 配置 | - | Single |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1480pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 下降时间 | - | 3.3ns |
| 典型接通延迟时间 | - | 3.6ns |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 25µA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 300pF @ 30V | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.8nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 12,177 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ3L050GNTB | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 60V 12A(Tc) ±20V 14.8W(Tc) 61mΩ@5A,10V 150°C(TJ) 8-PowerVDFN |
暂无价格 | 12,177 | 当前型号 |
|
DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
|
|
DMN6069SFG-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) 8-PowerWDFN 18A 930mW 63mΩ 60V 1V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
闽公网安备 35021102001214号 闽ICP备17005748号-1 增值电信业务经营许可证：闽B2-20200838
