RQ7E055ATTCR 与 AON4421 区别
| 型号 | RQ7E055ATTCR | AON4421 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RQ7E055ATTCR | A-AON4421 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | AOS |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Crss(pF) | - | 120 |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24.5mΩ@5.5A,10V | 26mΩ@10V |
| ESD Diode | - | No |
| Rds On(Max)@4.5V | - | 34mΩ |
| Qgd(nC) | - | 3.4 |
| 栅极电压Vgs | ±20V | 20V |
| Td(on)(ns) | - | 6 |
| 封装/外壳 | 8-SMD | DFN 3x2 |
| 连续漏极电流Id | 5.5A(Tc) | -8A |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | - |
| Ciss(pF) | - | 930 |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA | - |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 860pF @ 15V | - |
| Schottky Diode | - | No |
| Trr(ns) | - | 18 |
| Td(off)(ns) | - | 40 |
| 漏源极电压Vds | 30V | -30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.5W(Tc) | 2.5W |
| Qrr(nC) | - | 32 |
| VGS(th) | - | -1.8 |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 18.8nC @ 10V | - |
| Coss(pF) | - | 170 |
| Qg*(nC) | - | 8.6 |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 70 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
RQ7E055ATTCR | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
P-Channel 30V 5.5A(Tc) ±20V 1.5W(Tc) 24.5mΩ@5.5A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SMD |
暂无价格 | 70 | 当前型号 |
|
AON4421 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
DFN 3x2 P-Channel -30V 20V -8A 2.5W 26mΩ@10V |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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