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RS6G120BGTB1  与  SIJA72ADP-T1-GE3  区别

型号 RS6G120BGTB1 SIJA72ADP-T1-GE3
唯样编号 A3-RS6G120BGTB1 A-SIJA72ADP-T1-GE3
制造商 ROHM Semiconductor Vishay
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 通用MOSFET
描述 NCH 40V 210A, HSOP8, POWER MOSFE
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
封装/外壳 HSOP8 (Single) PowerPAK® SO-8
工作温度 -55°C~150°C -55℃~150℃
连续漏极电流Id 120A 27.9A(Ta),96A(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs 1.34mΩ@90A,10V 3.42 mOhms @ 10A,10V
漏源极电压Vds 40V 40V
Pd-功率耗散(Max) 104W 4.8W(Ta),56.8W(Tc)
Vgs(最大值) - +20V,-16V
Vgs(th) - 2.4V @ 250uA
栅极电压Vgs ±20V -
FET类型 N-Channel N-Channel
库存与单价
库存 100 40
工厂交货期 3 - 15天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
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HSOP8(Single)

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阶梯数 价格
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