RS6L120BGTB1 与 SI4850EY-T1-E3 区别
| 型号 | RS6L120BGTB1 | SI4850EY-T1-E3 | ||||||||
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| 唯样编号 | A3-RS6L120BGTB1 | A36-SI4850EY-T1-E3 | ||||||||
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Vishay | ||||||||
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 | ||||||||
| 分类 | 功率MOSFET | 通用MOSFET | ||||||||
| 描述 | Nch 60V 150A, HSOP8, Power MOSFET | Single N-Channel 60 V 0.022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8 | ||||||||
| 数据表 | ||||||||||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs | ||||||||
| 规格信息 | ||||||||||
| 封装/外壳 | HSOP8 (Single) | 8-SOIC | ||||||||
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C | ||||||||
| 连续漏极电流Id | 120A | 6A(Ta) | ||||||||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2.7mΩ@90A,10V | 22 mOhms @ 6A,10V | ||||||||
| 漏源极电压Vds | 60V | 60V | ||||||||
| Pd-功率耗散(Max) | 104W | 1.7W(Ta) | ||||||||
| Vgs(最大值) | - | ±20V | ||||||||
| Vgs(th) | - | 3V @ 250uA | ||||||||
| 栅极电压Vgs | ±20V | - | ||||||||
| FET类型 | N-Channel | N-Channel | ||||||||
| 库存与单价 | ||||||||||
| 库存 | 100 | 3,192 | ||||||||
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 | ||||||||
| 单价（含税） | 暂无价格 |
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| 购买数量 | 点击询价 | |||||||||
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
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RS6L120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 2.7mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 120A |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||
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SI4850EY-T1-E3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
6A(Ta) N-Channel 22 mOhms @ 6A,10V 1.7W(Ta) 8-SOIC -55°C~175°C 60V |
￥4.037
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3,192 | 对比 | ||||||||||
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NTMFS5C628NLT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
2.4mΩ@50A,10V ±20V SO-8FL -55°C~175°C 150A 60V 110W N-Channel |
暂无价格 | 3,000 | 对比 | ||||||||||
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NVMFS5C682NLAFT1G | ON Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) 车规 |
￥3.036
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1,501 | 对比 | ||||||||||
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SIJ462ADP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
N-Channel 22.3W 7.2mΩ@10A,10V -55°C~150°C ±20V 60V 39.3A SOT1205 |
暂无价格 | 100 | 对比 | ||||||||||
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SI4850BDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 通用MOSFET |
8.4A(Ta),11.3A(Tc) N-Channel 19.5 mOhms @ 10A,10V 2.5W(Ta),4.5W(Tc) 8-SOIC -55°C~150°C 60V |
暂无价格 | 40 | 对比 |
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