RSJ650N10TL 与 IRLS4030TRLPBF 区别
| 型号 | RSJ650N10TL | IRLS4030TRLPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RSJ650N10TL | A-IRLS4030TRLPBF |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | ||
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9.1mΩ@32.5A,10V | 4.3mΩ@110A,10V |
| 漏源极电压Vds | 100V | 100V |
| Pd-功率耗散(Max) | 100W | 370W(Tc) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±16V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | TO-263-3 | D2PAK |
| 连续漏极电流Id | 65A | 180A |
| 工作温度 | -55°C~150°C | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | RSJ650N10 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 11360pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 11360pF @ 50V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 130nC @ 4.5V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 145 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RSJ650N10TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
65A 9.1mΩ@32.5A,10V 100V TO-263-3 N-Channel 100W ±20V -55°C~150°C |
暂无价格 | 145 | 当前型号 | ||||||||||
|
AOB288L | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
TO-263 N-Channel 80V 20V 46A 93.5W 8.9mΩ@20A,10V |
￥6.0816
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700 | 对比 | ||||||||||
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BUK7610-100B,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 300W 175°C 3V 100V 110A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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BUK9611-80E,118 | Nexperia | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT404 N-Channel 182W 175°C 1.7V 80V 75A |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRFS4410TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 200W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 10mΩ@58A,10V N-Channel 100V 96A D²PAK(TO-263AB) |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
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IRLS4030TRLPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±16V 370W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 4.3mΩ@110A,10V N-Channel 100V 180A D2PAK |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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