RUR040N02TL 与 DMG6968U-7 区别
| 型号 | RUR040N02TL | DMG6968U-7 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-RUR040N02TL | A3-DMG6968U-7 |
| 制造商 | ROHM Semiconductor | Diodes Incorporated |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | Single N-Channel 20 V 1.3 W 8.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | 1W(Ta) | 1.3W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | 20V | 20V |
| 栅极电压Vgs | ±10V | ±12V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SC-96 | SOT-23 |
| 工作温度 | 150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 4A(Ta) | 6.5A |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 151pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 8.5nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.5V,4.5V | 1.8V,4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 680pF @ 10V | - |
| 导通电阻Rds(On) | 35mΩ@4A,4.5V | 25mΩ@6.5A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.3V @ 1mA | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 8nC @ 4.5V | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 100 | 30,000 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 3 - 15天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RUR040N02TL | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
±10V 1W(Ta) 35mΩ@4A,4.5V 150°C(TJ) SC-96 N-Channel 20V 4A(Ta) |
暂无价格 | 100 | 当前型号 | ||||||||||
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AO3414 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 3A 1.4W 50mΩ@4.2A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7332
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145,473 | 对比 | ||||||||||
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AO3416 | AOS | 数据手册 | 功率MOSFET |
SOT23-3 N-Channel 20V ±8V 6.5A 1.4W 22mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C |
￥0.7657
|
80,334 | 对比 | ||||||||||
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DMN2075U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 800mW 25mΩ 20V 8V |
暂无价格 | 36,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG6968U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
±12V 1.3W(Ta) 25mΩ@6.5A,4.5V -55°C~150°C(TJ) SOT-23 N-Channel 20V 6.5A |
暂无价格 | 30,000 | 对比 | ||||||||||
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DMG3414U-7 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 小信号MOSFET |
-55°C~150°C(TJ) SOT-23 4.2A 780mW 25mΩ 20V 500mV |
暂无价格 | 9,000 | 对比 |
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