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SCT3060ALGC11  与  FCH070N60E  区别

型号 SCT3060ALGC11 FCH070N60E
唯样编号 A3-SCT3060ALGC11 A-FCH070N60E
制造商 ROHM Semiconductor ON Semiconductor
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 SiC MOSFET 通用MOSFET
描述 SCT3060AL Series 650 V 39 A 78 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 不符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs 60mΩ 70m Ohms@26A,10V
上升时间 37ns -
漏源极电压Vds 650V 600V
Pd-功率耗散(Max) 165W 481W(Tc)
Qg-栅极电荷 58nC -
栅极电压Vgs 5.6V ±20V
典型关闭延迟时间 34ns -
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 TO-247-3 TO-247
工作温度 175°C(TJ) -55°C~150°C(TJ)
连续漏极电流Id 39A 52A
系列 SCT3x SuperFET® II
通道数量 1Channel -
配置 Single -
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 5.6V @ 6.67mA 3.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 852pF @ 500V 4925pF @ 380V
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 58nC @ 18V 166nC @ 10V
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 18V 10V
下降时间 21ns -
典型接通延迟时间 19ns -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
SCT3060ALGC11 ROHM Semiconductor  数据手册 SiC MOSFET

175°C(TJ) TO-247-3 39A 165W 60mΩ 650V 5.6V

暂无价格 0 当前型号
STW48N60M2 STMicro  数据手册 通用MOSFET

TO-247-3

暂无价格 8,820 对比
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TO-247-3

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STW48N60M6 STMicro  数据手册 功率MOSFET

TO-247-3

暂无价格 0 对比
FCH072N60F ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 72m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A

暂无价格 0 对比
FCH070N60E ON Semiconductor  数据手册 通用MOSFET

52A(Tc) ±20V 481W(Tc) 70m Ohms@26A,10V -55°C~150°C(TJ) TO-247-3 TO-247 N-Channel 600V 52A

暂无价格 0 对比

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