SI4124DY-T1-GE3 与 FDS4470 区别
| 型号 | SI4124DY-T1-GE3 | FDS4470 |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4124DY-T1-GE3 | A-FDS4470 |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | MOSFET | 通用MOSFET |
| 描述 | N-Channel 40 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 不符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 功率耗散Pd | - | 2.5W(Ta) |
| 漏源极电压Vds | - | 40V |
| 栅极电压Vgs | - | +30V,-20V |
| FET类型 | - | N-Channel |
| 封装/外壳 | SO-8 | 8-SOIC |
| 连续漏极电流Id | - | 12.5A |
| 工作温度 | - | -55°C~175°C(TJ) |
| 系列 | - | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | - | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2659pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 63nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | - | 10V |
| 导通电阻Rds(On) | - | 9mΩ@12.5A,10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 2,500 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||||||||
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SI4124DY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | MOSFET |
SO-8 |
暂无价格 | 2,500 | 当前型号 | ||||||||||||||||
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FDS4470 | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
12.5A(Ta) +30V,-20V 2.5W(Ta) 9mΩ@12.5A,10V -55°C~175°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 12.5A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS8842NZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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FDS8842NZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
14.9A(Ta) ±20V 2.5W(Ta) 7m Ohms@14.9A,10V -55°C~150°C(TJ) 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) SOIC N-Channel 40V 14.9A 8-SOIC |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G100BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 59W 3.4mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 100A |
￥8.4134
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2,489 | 对比 | ||||||||||||||||
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RS6G120BGTB1 | ROHM Semiconductor | 数据手册 | 功率MOSFET |
HSOP8 (Single) N-Channel 104W 1.34mΩ@90A,10V -55°C~150°C ±20V 40V 120A |
￥15.514
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1,474 | 对比 |
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