SI4435DDY-T1-GE3 与 SI4435DYTRPBF 区别
| 型号 | SI4435DDY-T1-GE3 | SI4435DYTRPBF |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SI4435DDY-T1-GE3 | A-SI4435DYTRPBF |
| 制造商 | Vishay | Infineon Technologies |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 功率MOSFET |
| 描述 | MOSFET | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 24mΩ | 20mΩ@8A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.5W(Ta),5W(Tc) | 2.5W(Ta) |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | P-Channel | P-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | 8-SO |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 8.1A | 8A |
| 系列 | SI | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1350pF @ 15V | 2320pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 50nC @ 10V | 60nC @ 10V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 1V @ 250µA |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 2320pF @ 15V |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 60nC @ 10V |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 20,000 | 0 |
| 工厂交货期 | 3 - 15天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SI4435DDY-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta),5W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 P-Channel 30V 8.1A 24mΩ |
暂无价格 | 20,000 | 当前型号 | ||||||||||
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DMP3037LSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 通用MOSFET |
P-Channel 1.2W(Ta) ±20V 8-SO -55°C~150°C(TJ) 30V 5.8A(Ta) |
￥1.133
|
859 | 对比 | ||||||||||
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DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
|
DMG4435SSS-13 | Diodes Incorporated | 数据手册 | 功率MOSFET |
-55°C~150°C SO-8 7.3A 2.5W 16mΩ@11A,20V 30V ±25V P-Channel |
暂无价格 | 0 | 对比 | ||||||||||
|
FDS6675BZ | ON Semiconductor | 数据手册 | 通用MOSFET |
8-SOIC |
￥3.003
|
15,085 | 对比 | ||||||||||
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SI4435DYTRPBF | Infineon | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 20mΩ@8A,10V P-Channel 30V 8A 8-SO |
暂无价格 | 0 | 对比 |
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