SIR158DP-T1-GE3 与 NTMFS4841NT1G 区别
| 型号 | SIR158DP-T1-GE3 | NTMFS4841NT1G |
|---|---|---|
| 唯样编号 | A3-SIR158DP-T1-GE3 | A3t-NTMFS4841NT1G |
| 制造商 | Vishay | ON Semiconductor |
| 供应商 | 唯样自营 | 唯样自营 |
| 分类 | 功率MOSFET | 未分类 |
| 描述 | Single N-Channel 30 V 60 A 83 W 1.8 mOhm Power Mosfet - PowerPak-SO-8 | |
| 数据表 | ||
| RoHs | 无铅/符合RoHs | 无铅/符合RoHs |
| 规格信息 | ||
| 宽度 | 5.15mm | - |
| 功率 | - | 870mW(Ta),41.7W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.8MΩ | 7 毫欧 @ 30A,10V |
| 漏源极电压Vds | 30V | 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5.4W(Ta),83W(Tc) | - |
| 栅极电压Vgs | ±20V | ±20V |
| FET类型 | N-Channel | N-Channel |
| 封装/外壳 | SOIC-8 | SO-FL |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) | -55°C~150°C(TJ) |
| 连续漏极电流Id | 40A | 13.1A |
| 系列 | SIR | - |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 4980pF @ 15V | 1436pF @ 12V |
| 长度 | 6.15mm | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 130nC @ 10V | 17nC @ 4.5V |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 4.5V,10V | 4.5V,10V |
| 高度 | 1.04mm | - |
| 库存与单价 | ||
| 库存 | 0 | 0 |
| 工厂交货期 | 56 - 70天 | 56 - 70天 |
| 单价（含税） | 暂无价格 | 暂无价格 |
| 购买数量 | 点击询价 | 点击询价 |
| 图片 | 原厂型号 | 制造商 | 数据手册 | 分类 | 关键参数 | 单价 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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SIR158DP-T1-GE3 | Vishay | 数据手册 | 功率MOSFET |
±20V 5.4W(Ta),83W(Tc) -55°C~150°C(TJ) SOIC-8 N-Channel 30V 40A 1.8MΩ |
暂无价格 | 0 | 当前型号 |
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NTMFS4841NT1G | ON Semiconductor | 未分类 | 暂无价格 | 0 | 对比 |
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